용인신문 | 삼성전자는 지난 23일 업계 최초로 ‘1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드’ 양산을 시작했다고 밝혔다. TLC는 하나의 셀(Cell)에 3비트(bit) 데이터를 기록할 수 있는 구조를 말한다.

삼성전자가 양산을 시작한 ‘1Tb TLC 9세대 V낸드’의 비트 밀도(Bit Density)는 이전 세대 대비 약 1.5배 높다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 말한다.

삼성전자는 이번 제품에 높은 비트 밀도를 적용하기 위해 △업계 최소 크기 셀 △최소 몰드(Mold) 두께를 구현했다.

삼성전자는 ‘더미 채널 홀’(Dummy Channel Hole) 제거 기술을 통해 셀 평면적을 줄였다. 또 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 ‘셀 간섭 회피 기술’과 ‘셀 수명 연장 기술’을 적용, 제품 품질과 신뢰성을 높였다는 설명이다.

삼성전자의 ‘9세대 V낸드’는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다.

삼성 측은 “‘채널 홀 에칭’(Channel Hole Etching) 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다”고 전했다. 채널 홀 에칭은 몰드 층을 순차적으로 적층한 다음, 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가한다.

‘9세대 V낸드’는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 토글(Toggle) 5.1이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다.

삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.

PCIe는 컴퓨터 내부에서 다양한 부품들이 빠르고 정확하게 데이터를 주고받을 수 있도록 하는 기술 규격이다.

삼성전자의 이번 양산품은 5세대((PCIe 5.0·기존 PCIe 4.0 대비 대역폭이 2배로 커진 32GT/s를 지원하는 차세대 PCIe 통신규격) 규격 조건을 충족한다.

‘9세대 V낸드’는 저전력 설계 기술을 탑재, 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다. 환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객에 최적의 솔루션이 될 수 있다고 삼성전자 측은 기대했다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장(부사장)은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 강조했다.

한편, 삼성전자는 ‘TLC 9세대 V낸드’에 이어 올 하반기 ‘QLC(Quad Level Cell·하나의 셀에 4bit 데이터를 기록할 수 있는 구조) 9세대 V낸드’도 양산할 예정이다. 이를 통해 AI 시대에 요구되는 고용량·고성능 낸드플래시 개발 주도권을 확보하겠다는 계획이다.

업계 최초 양산, 삼성전자 9세대 V낸드 제품(삼성전자 제공)