삼성전자(대표 윤종용)가 세계 최초로 90나노(1나노=10억분의 1m) 공정을 적용한 DDR2 D램 양산에 돌입했다.

이는 지난해 9월 90나노미터(㎚) 공정을 적용한 512Mb D램의 생산에 이은 것으로, 90나노 공정을 통해 생산할 경우 0.11㎛(미크론)급 공정 대비 생산성을 약 40% 향상시키게 된다. 현재, 업계는 0.11㎛ 공정 제품의 생산 비중 확대에도 어려움을 겪으며 90나노 공정 도입이 늦어지고 있는 상황이다.

삼성전자는 90나노 공정을 이미 적용하고 있는 512Mb DDRㆍDDR2ㆍ512MB 그래픽 DDR3(GDDR3)에 이어 1Gb D램에도 조기에 90나노 공정을 적용하게 돼 타 업체와의 격차를 한층 더 벌리게 됐다고 밝혔다.

이번에 삼성전자가 양산하는 제품은 동작전압 1.8V의 90나노 1Gb DDR2 400ㆍ533ㆍ667 로 90나노 공정을 적용한 1Gb D램으로는 업계 최초로 인텔의 인증도 획득한 제품이다.

삼성전자는 올 4ㆍ4분기까지 90나노 1Gb D램 월 100만개 생산체제를 갖추고 지속적으로 생산량을 늘려 나갈 예정이며, 90나노 공정 비중도 올 연말에는 40%로 확대할 예정이다.

한편, 반도체 시장조사 전문기관 데이터퀘스트에 따르면 올해부터 D램 시장은 기존 256Mb D램에서 512Mb D램으로 시장 전환이 이뤄져 본격적인 대용량 D램 시대를 맞이할 전망이다. 1Gb 이상 기가급 D램도 점차 늘어나 2008년에는 1Gb D램이 170억달러 규모로 주력 메모리 제품이 될 것으로 예상된다.