삼성전자가 세계 최초로 현존하는 D램중 가장 미세한 디자일룰로 구현된 70나노급 D램 개발에 성공했다.

삼성전자는 지난 13일 첨단 70나노(1나노=10억분의 1m) 공정을 적용한 512메가 DDR2 D램 개발에 성공했다고 밝혔다. 이에 따라 2001년 100나노, 2002년 90나노, 2003년 80나노에 이어 이번에 70나노급의 4세대 D램 기술을 개발, 지속적으로 세계 D램시장을 주도할 수 있게 됐다.

나노 기술은 통상 100나노 이하에서 물질을 조작하는 기술로, 삼성전자가 이번에 개발한 70나노 공정기술은 반도체 회로 선폭이 머리카락 두께의 약 1400분의 1에 해당하는 초미세 반도체 제조 기술이다.

특히, 이번 제품은 2003년 6월 세계적 권위의 반도체학회인 ‘VLSI’에서 발표한 ‘MIM (Metal-Insulator-Metal) 캐패시터 기술’ 과 2005년 6월에 발표한 삼성전자 독자기술인 3차원 트랜지스터 제작 기술 ‘S-RCAT (Sphere shaped Recess Channel Array Transistor)’를 적용하여 D램의 미세화 수준과 데이터 저장 특성을 혁신적으로 개선한 점도 특징이다.

70나노 512메가 DDR2 D램은 기존에 양산하는 90나노 512메가 DDR2 제품보다 생산성이 2배 높으며,1.8V 저전압 동작으로 PC를 비롯한 컴퓨팅 시스템뿐 아니라 각종 모바일 기기에 최적의 성능을 구현한다. 삼성전자는 이번에 개발한 70나노 512메가 D램은 내년 하반기 양산에 돌입할 예정이다.

한편, 시장조사기관인 아이서플라이에 따르면 D램시장은 향후 새로운 차세대 게임기 출시, 3세대 휴대폰 비중 확대, 그리고 새로운 PC 운영체제 (MS사 ‘윈도우 비스타’) 출시 등에 따라, 올해 265억불에서 ‘09년 374억불로 안정적인 성장세를 유지할 전망이다.