삼성전자가 세계 최초로 80나노 공정을 512Mb DDR2 D램에 적용해 양산을 시작했다.

지난 `2004년 9월 업계 첫 90나노 D램 양산을 시작한 삼성전자는 불과 1년만에 범용 D램, 그래픽D램, 모바일D램 등 D램 전제품에 90나노 공정을 성공적으로 도입한 데 이어 이번에 80나노 D램 양산에 돌입함으로써 3세대 연속 최첨단 나노 D램 기술을 주도하는 쾌거를 이루게 됐다.

80나노 공정을 적용하면, 현재 주력 공정인 90나노 공정 대비 50% 이상 생산성을 향상시킬 수 있으며, 90나노 공정과도 기술적인 연속성을 유지해 추가 투자를 최소화할 수 있는 장점이 있다. 삼성전자는 80나노 공정을 주력 D램 제품으로 부상한 512Mb DDR2 D램에 우선 적용하고, 향후 타 D램 제품군으로 빠르게 확대 적용해 나간다는 방침이다.

한편, 삼성전자는 이미 70나노 D램 공정기술도 지난해에 개발 완료한 상태로, 올 하반기 쯤 양산을 시작할 계획이다.