세계최초 0.10㎛ 초미세 공정 적용 DRAM 제품기술
세계 최고 권위 국제반도체학회(ISSCC)에 논문 발표
64Mega부터 4Giga까지 세계 메모리 반도체 기술 선도

차세대 반도체 기술 주도권을 위해 톱 대열 기업들이 치열한 경쟁을 하고 있는 가운데 삼성전자가 세계최초로 차세대 최첨단 D램 기술인 4기가 D램 반도체 제품기술을 개발했다.
삼성전자는 7일(현지 시간) 미국 센프란시스코에서 열리는 국제반도체학회 (ISSCC)에서 0.10미크론 초미세 공정기술을 적용한 ‘차세대 4기가 메모리반도체 제품 기술 개발’관련 기술 논문을 발표해 세계 최초로 4기가 시대를 열었다.
이 논문은 고집적도 대용량 메모리의 특성을 소화해 낼 수 있는 미세 증폭회로 및 안정화 회로와 관련된 기술, 저(低) 전력화와 고속 동작을 가능하게 하는 복합설계 기술 등 내용을 담았다.
삼성전자가 시제품 단계로 개발한 4기가 D램은 42억9000만 비트 용량의 반도체로 1개의 칩 속에 영문글자 기준으로 5억자 글자 (신문 3만2000쪽)이상, 단행본 640권, 정지 화상 1600장, 64시간 분량의 음성데이터를 저장할 수 있는 초고성능 서버용 첨단 제품이다.
특히 삼성전자 연구진이 도전에 성공한 4기가 D램 공정 기술인 0.10미크론 기술은 사람 머리카락 굵기의 1000분의 1에 해당하는 초미세 가공기술로 0.10㎛ 가공에 필요한 핵심 공정인 고해상도 사진현상 기술, 셀 (Cell) 정전(靜電) 용량 확보 기술, 저(低) 저항 배선 기술 등 최첨단 기술을 확보해야 가능한 기술이다.
이번에 개발한 0.10미크론 기술을 기흥 공장에서 양산 중인 256메가, 128메가 D램 제품에 적용할 경우 60% 이상의 원가 절감 효과가 있어, 반도체 원가 경쟁에서도 세계 최고의 위치를 점하게 된다고 삼성전자는 밝혔다.
삼성전자는 이번 4기가 관련 기술개발 과정에서 총 140여건의 핵심 반도체 기술특허를 국내외에 출원했다.
이에 따라 차세대 기가 반도체 기술특허 분야에서 많은 원천기술을 확보하게 돼 로열티 수입도 늘어날 것으로 기대된다.
삼성전자는 1992년 64메가 D램을 세계 최초로 개발한 이후 256메가, 1기가, 4기가 D램에 이르기까지 4세대 반도체에서 세계 최고 기술을 확보하는 개가를 올렸다. ISSCC는 국제전기전자공학기술협회 (IEEE) 산하단체로 25개국에서 1만여명의 회원이 활동하는 가장 권위있는 반도체 관련 국제 학술 단체다.