밀레니엄시대 신개념 메모리 반도체가 개발됐다. 삼성전자는 최근 D램, S램, 플래시 메모리의 장점만을 결합한 신개념 메모리 반도체라 불리우는 4M F램(강유전체 메모리 반도체)을 업계 처음으로 개발에 성공했다고 밝혔다. 삼성전자 관계자에 따르면 F램은 설계가 용이하고 대용량 저장기능의 D, 고속동작의 S램, 전원이 꺼져도 데이터가 지워지지 않는 플래쉬 메모리의 장점을 한 개의 칩에 집적화 시킨 것으로 미국의 램트론, 일본의 롬社 등 일부 업체만이 256K F램을 출시한 상태이다.
삼성전자가 개발한 4M F램은 F램 반도체의 가장 큰 걸림돌이었던 대용량화 기술을 확보, 업계 최초로 메가시대를 열게됨으로써 현재 256K급 용량에 머물고 있는 구미·일본업체들에 비해서도 기술우위를 확보하게 됐다. 이 제품은 기존 256K 제품의 16배 용량으로 3.3V 동작 전압과 저소비 전력, 75ns(나노초, 1ns=10)의 고속 동작 제품으로 앞으로 휴대폰 등 휴대용 멀티미디어 제품에 적극 채용될 전망이다. 삼성전자 관계자는 “F램은 휴대성을 강조한 이동통신 관련제품 등의 수요증가로 2005년 이후 연간 150억불 이상의 시장을 형성할 것으로 보인다”고 말했다.