삼성전자는 차세대 초고속·저전력 반도체 개발의 핵심 기술공정으로 평가되고 있는 차세대 초고속 구리 배선기술을 개발, 알파 CPU에 적용하는데 성공했다고 최근 밝혔다. 이번 신공정 기술은 알파 CPU에 탑재되는 0.18㎛(미크론) 4층 구리 배선 공정기술로 기존 알루미늄 배선에 비해 20％이상의 속도 향상과 저전력 반도체 제품 개발이 가능한 특성을 갖고 있다. 이에따라 반도체 선발업체들이 치열한 개발경쟁을 벌이고 있는 첨단기술이다. 삼성은 이번 신기술 개발로 구리 다층 배선기술을 사용, 1억개의 트랜지스터를 한 개의 칩에 집적시켜 전력소모와 제조비용을 획기적으로 줄일 수 있게 됐다.
삼성은 올하반기에 7층 구리 배선 기술을 개발해 알파 CPU에 적용, 내년안에 1.2㎓ 동작속도를 가진 알파 CPU 제품을 개발할 계획이다. 또 구리칩 공정기술을 향후 비메모리 제품인 ASIC(주문형 반도체), CDMA, 네트윅 제품 등 전제품에 적용할 예정이다.