삼성전자가 기존 싱크로너스 방식보다 전송속도가 2배 빠른 450㎒의 DDR방식 4M 용량의 S램 반도체를 개발, 내년부터 시판에 들어간다.
삼성전자는 이 제품을 우선 빠른 속도로 데이터를 처리하는 네트워크 관련장비 업체에 공급할 예정이다.
이 제품은 기존 S램의 3.3V보다 작은 2.5V의 저전압에서 작동되며, 200㎒ 이상의 데이터를 송수신할 수 있는 고속 통신규격인 HSTL(High Speed TTL Logic)를 지원한다.
제품은 기존 싱크로너스 방식으론 한계로 지적돼온 250㎒ 대비 약 2배 정도 속도가 빠른 것으로 ATM, 이더넷 등 인터넷 관련장비, 고성능 PC 등에 주로 탑재될 전망이다.
삼성전자는 이 제품의 개발로 인터넷 시장에 조기진출, 시장을 선점할 수 있게됨은 물론 제품 생산도 별도의 투자없이 기존공정 활용이 가능해 가격 경쟁력에서도 우위를 확보할 수 있게됐다.