최근 삼성전자는 인텔의 까미노 칩셋출시와 함께 램버스 D램 2세대 양산제품을 출시 차세대 고속 D램의 시대를 열고 있다.
이번 출시된 2대 램버스 D램은 차세대 미세화 기술로 기존의 회로선폭 0.23㎛보다 작은 0.19㎛으로 칩의 크기를 30% 축소, 월등한 원가 경쟁력으로 차세대 고속 D램 시장공략에 나서고 있다.
특히, 램버스 D램은 정보처리 속도가 최대 1.6Gbps/sec로 초당 신문지 12만 8천쪽의 데이터를 처리할 수 있는 초고속제품이며, 현재 PC의 주기억 장치인 PC-100용 싱크로너스 D램보다 10배 빠른 속도이다.
이번에 출시된 제품은 144M, 128M 다이렉트 램버스D램 단품 및 모듈형태이며 인텔의 품질인증테스트 프로그램에 이를 사용한 256M바이트급 모듈까지 품질인증을 획득했으며 다음해는 256M 램버스 D램도 출시할 계획이다.
또한 최근 인텔이 차세대 칩셋으로 주목받고 있던 까미노 칩셋을 출시해 램버스 D램시장이 본격 형성될 것으로 보이며, 삼성전자는 9월 말부터 램버스 D램이 탑제된 펜티엄Ⅲ PC가 출시될 예정이다.
한편, 삼성전자의 램버스 D램출시는 타사에 비해 최소 6개월이상 빠른 것으로 고성능 PC, 워크스테이션, 게임기 등 고속처리를 요구하는 다양한 곳에 채용 정보통신분야 기기의 성능을 한단계 발전시킬 것으로 전망된다.