삼성전자가 지난 해 10월 세계 최초로 개발한 50나노급 1기가 DDR2 D램에 대한 인텔 인증을 획득했다고 지난 18일 밝혔다. 이번 인증획득은 50나노급 D램으로는 업계 최초로 인증을 완료한 것으로 주목을 받고 있으며, 특히 DDR2 제품 중 최고속인 800Mbps(초당 800Mb 데이터 처리) 제품에 대해 양산 가능한 수준의 제품 특성을 확보했음을 공인 받았다는데 큰 의미가 있다.

이번에 공식적으로 검증된 삼성전자의 50나노급 1기가 DDR2 D램은 현재 주력 양산 공정인 80나노 대비 2배, 60나노급 1기가 DDR2 D램 대비 50% 이상 생산성 향상이 가능해 원가 경쟁력이 강화될 것으로 기대된다.

한편, 올해 하반기 D램 시장은 윈도우 비스타가 일반 사용자용 PC 뿐만 아니라 기업용 PC까지 본격 채용되면서 메인 메모리의 용량의 증가와 고성능화가 가속화 될 것으로 전망된다.

삼성전자 관계자는 “50나노급 D램 최초 인증으로 삼성전자의 차세대 D램 기술이 절대 우위에 있음을 다시 한 번 증명했다”며 “이번에 인텔 인증을 완료한 50나노급 D램 기술은 2008년 상반기 양산 예정이며 DDR2뿐만 아니라, DDR3, 그래픽, 모바일 등 전체 D램 제품군으로 확대 적용해 나갈 계획”이라고 말했다.