 |
||
50나노 공정은 현재 양산 중인 80나노 공정에 비해 3세대 앞선 기술로 80나노 제품보다 생산성을 2배 향상시키고 지난해 삼성이 개발한 60나노 공정에 비해 55%나 높은 생산성을 보이는 최첨단 공정기술이다.
이번에 개발된 D램은 업계 최초로 RCAT(Recess Channel Array Transistor) 기술과 SEG(Selective Epitaxial Growth)라는 두 종류의 3차원 입체 트랜지스터 구조 신기술을 적용했다.
또한 D램의 데이터 저장 장소인 캐패시터의 전하 저장 능력을 극대화하고 50나노급 이하의 D램을 구동하기 위한 전하량을 확보할 수 있는 ‘복합 유전층’ 신기술도 사용됐다.
한편 이번에 개발된 50나노 기술은 초고속 동작은 물론 저소비 전력 특성이 강화된 설계 기술로 데이터 처리속도와 저장능력을 높여 대용량 PC의 D램과 초고속 동작이 요구되는 그래픽 D램, 저전력과 대용량이 동시에 요구되는 모바일 D램 등 모든 D램에 확대 적용이 가능하다.
삼은 이번 50나노 D램 제품을 오는 2008년 1/4분기에 출시할 예정이다.
